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飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜2-材料表征 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜是一種靈敏的表面分析技術(shù)，可以廣泛應(yīng)用于物理，化學(xué)，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。TOF-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素，分子等結(jié)構(gòu)信息。

深能級(jí)瞬態(tài)譜儀2-半導(dǎo)體表征 深能級(jí)瞬態(tài)譜儀是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測(cè)半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段！測(cè)試功能：電容模式、定電容模式、電流模式、（雙關(guān)聯(lián)模式）、光激發(fā)模式、FET分析、MOS分析、等溫瞬態(tài)譜、Trap profiling、俘獲截面測(cè)量、I/V,I/V（T） 、C/V, C/V（T） 、TSC/TSCAP 、光子誘導(dǎo)瞬態(tài)譜、DLOS。

深能級(jí)瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征 半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測(cè)半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段。根據(jù)半導(dǎo)體P-N 結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術(shù)測(cè)量出的深能級(jí)瞬態(tài)譜

英國(guó)KP開爾文探針掃描-半導(dǎo)體表征 英國(guó)KP開爾文探針掃描是一種非接觸無(wú)損震蕩電容裝置，用于測(cè)量導(dǎo)體材料的功函數(shù)（Work Function）或半導(dǎo)體、絕緣表面的表面勢(shì)（Surface Potential）。材料表面的功函數(shù)通常由Z上層的1-3層原子或分子決定，所以開爾文探針是一種Z靈敏的表面分析技術(shù)。

開爾文探針掃描系統(tǒng)-半導(dǎo)體表征 開爾文探針掃描系統(tǒng)是一種非接觸無(wú)損震蕩電容裝置，用于測(cè)量導(dǎo)體材料的功函數(shù)(Work Function)或半導(dǎo)體、絕緣表面的表面勢(shì)(Surface Potential)。材料表面的功函數(shù)通常由Z上層的1-3層原子或分子決定，所以開爾文探針是一種Z靈敏的表面分析技術(shù)。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜-材料表征 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)?？梢詮V泛應(yīng)用于物理，化學(xué)，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。TOF-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素，分子等結(jié)構(gòu)信息。

半自動(dòng)劃片機(jī)/切片機(jī)（6英寸）-半導(dǎo)體材料 適用于 6 英寸晶圓– 6 英寸硅晶圓 – 緊湊尺寸的占地面積（寬 x 深 = 590 x 880） – 多處安裝劃片 可劃片的樣品： 硅晶圓， PCB， QFN， PBGA， 陶瓷， 石英玻璃， LED，移動(dòng)式藍(lán)色玻璃濾光片、碳化硅等

半自動(dòng)劃片機(jī)（8英寸，12英寸）-半導(dǎo)體材料 – 最大 16 英寸 – 重復(fù)精度（Y 軸） ： 0.001 – 可選 3 英寸刀片、BBD（刀片斷裂檢測(cè)儀）、NCS（非接觸式傳感器） – 真空卡盤：6~12英寸