IG2離子源-超高真空

典型應(yīng)用是氬離子濺射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型離子源)
濺射清洗 /表面準(zhǔn)備，用于表面科學(xué)，  MBE ，高真空濺射過程
離子輔助沉積
離子束濺射鍍膜
反應(yīng)離子刻蝕

后排離子源與控制器

RBD儀器的離子源包裝是在UHV條件下切割樣品的理想溶液。IG2離子源包裝包括模型04-165 2 KV BBV離子源和模型32-165離子源控制。這些標(biāo)準(zhǔn)可與PIP 04-161和04-162離子交換和PHIP 20-045控制，相應(yīng)地互換。

1401型離子槍非常適合用于表面化學(xué)實驗，如用螺旋鉆和XPS制備樣品和深度剖面。它可以與大多數(shù)惰性氣體一起使用。

1407型離子槍在電子碰撞電離離子槍中具有雙等離子管性能。利用光學(xué)柱中可變光闌，可以獲得大范圍的光束電流和光斑尺寸。當(dāng)光束能量為5 kev時，光束電流可從2 uA調(diào)整為20 um直徑的光斑，從20 uA調(diào)整為100 um直徑的光斑。

1402型離子槍的特點是光束能量非常低時的遠光電流。它還可以在高光束能量（高達3 kev）下運行，以提供額外的深度輪廓和樣品清洗能力。

IG2離子源-超高真空

3KV離子源
RBD目前提供了一個3 KV離子源掃描裝置，其中包括電子電荷源、電源和電纜。設(shè)計為一個低的100次，3 KV離子源提供了一個寬10毫米口徑尺寸，并與所有惰性Gasses兼容，不需要微分泵。

該包包括離子源、電子控制單元、三色電流、開鎖、操作手動和一種防偽絲組裝。

高性價比