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半自動光刻機在高精度微加工中的實際應(yīng)用
半自動光刻機在高精度微加工中的實際應(yīng)用 2025-04-15

隨著微電子技術(shù)和納米技術(shù)的快速發(fā)展,光刻技術(shù)成為了半導(dǎo)體制造和高精度微加工中的核心技術(shù)。尤其是半自動光刻機,憑借其較高的性價比和較為靈活的操作模式,已經(jīng)在許多高精度微加工領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。一、半自動光刻機的工作原理光刻技術(shù)通過利用光敏材料(光刻膠)在紫外光或激光照射下發(fā)生化學...

  • 勻膠機常用的2種滴膠方式介紹 2022-02-14

    勻膠機(SpinCoater)用于晶片基底材料的表面光刻膠涂覆。勻膠機由樣品臺、滴膠裝置和空心電動機組成,其工作原理是,通過在樣品臺上產(chǎn)生負壓將需要旋涂的基底材料吸附在樣品臺上,光刻膠液滴注在基底材料的表面,通過準確控制電動機的旋轉(zhuǎn)速度,以此來改變離心力的大小,同時通過控制膠液的流量來達到制備薄膜所需的厚度。常用的滴膠方式分為兩種:即靜態(tài)滴膠和動態(tài)滴膠。靜態(tài)滴膠是在基片靜止時將光刻膠滴注到基片的中心位置,滴膠量約為1-10ml,但在滿足厚度需求的前提下,滴膠量還應(yīng)根據(jù)光刻膠的...

  • 淺析多功能磁控濺射儀的主要特點 2022-01-06

    多功能磁控濺射儀主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。工作原理:是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用,產(chǎn)生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運動軌...

  • 開爾文探針相關(guān)應(yīng)用介紹 2022-01-06

    開爾文探針提供了一種無損、無觸點的方法來測量各種材料組合的功函數(shù)差。這些探針可具有多種設(shè)計,包括不同的頂端形狀、長度和半徑。為了確定最佳設(shè)計,同時最大限度地減少測試。開爾文探針可以確定材料的接觸電勢差(或功函數(shù)差)。這種探針基于時變電容器,使用兩個電極工作:由功函數(shù)已知的材料制成的可移動探針。由功函數(shù)未知的材料制成的固定樣品。當這些電極電連接時,費米能級達到平衡。功函數(shù)較低的材料中的電子流入功函數(shù)較高的材料中,這種流動產(chǎn)生接觸電勢差,為電容器充電。此外,可移動電極中的振動改變...

  • 有關(guān)磁控濺射鍍膜機的主要優(yōu)勢介紹 2021-12-27

    磁控濺射鍍膜機是一種普適鍍膜機,用于各種單層膜、多層膜和摻雜膜系??慑兏鞣N硬質(zhì)膜、金屬膜、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜和其他化學反應(yīng)膜,亦可鍍鐵磁材料。主要用于實驗室制備有機光電器件的金屬電極及介電層,以及制備用于生長納米材料的催化劑薄膜層。磁控濺射鍍膜機主要優(yōu)勢:1、實用性:1.1、設(shè)備集成度高,結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小,可以放置于實驗桌面上即可;1.2、通過更換設(shè)備上下法蘭可以實現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換,實現(xiàn)一機多用;2、方便性:2.1、設(shè)備需要拆卸的部分均采用即插...

  • 有關(guān)脈沖激光沉積的發(fā)展歷程介紹 2021-12-22

    脈沖激光沉積也被稱為脈沖激光燒蝕,是一種利用激光對物體進行轟擊,然后將轟擊出來的物質(zhì)沉淀在不同的襯底上,得到沉淀或者薄膜的一種手段。發(fā)展歷程:脈沖激光沉積的發(fā)展與探究,處處受制。事實上,當時的激光科技還未成熟,可以得到的激光種類有限;輸出的激光既不穩(wěn)定,重復(fù)頻率亦太低,使任何實際的膜生成過程均不能付諸實行。因此,PLD在薄膜制作的發(fā)展比其它技術(shù)落后。以分子束外延(MBE)為例,制造出來的薄膜質(zhì)素就優(yōu)良得多。往后十年,由于激光科技的急速發(fā)展,提升了PLD的競爭能力。與早前的紅寶...

  • 深能級瞬態(tài)譜儀可用于光伏太陽能電池領(lǐng)域 2021-12-01

    深能級瞬態(tài)譜儀是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段。根據(jù)半導(dǎo)體P-N結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容(△C~t)技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜(DLTS)的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜,是一種具有*檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導(dǎo)體材料中摻雜濟濃度的萬分之一)的實驗方法,能檢測半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描,可以給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度(即能量)分布的DLTS譜。集成多種全自動的測量模式...

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